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NSBC124XPDXV6T5G

NSBC124XPDXV6T5G

Solo per riferimento

Numero parte NSBC124XPDXV6T5G
PNEDA Part # NSBC124XPDXV6T5G
Descrizione TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 5.886
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NSBC124XPDXV6T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSBC124XPDXV6T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
NSBC124XPDXV6T5G, NSBC124XPDXV6T5G Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 137,92 KB)
PDFNSBC143TPDXV6T5G Datasheet Copertura
NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 2 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 3 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 4 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 5 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 6 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 7 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 8 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 9 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 10 NSBC143TPDXV6T5G Datasheet Pagina 11

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NSBC124XPDXV6T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)22kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max500mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

PBLS2021D,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 1.8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 20V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA, 100nA

Frequenza - Transizione

130MHz

Potenza - Max

760mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

EMD22T2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

NSBC113EPDXV6T1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

UMG3N-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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