NSBC123JDXV6T5
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| Numero parte | NSBC123JDXV6T5 |
| PNEDA Part # | NSBC123JDXV6T5 |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.012 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSBC123JDXV6T5 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSBC123JDXV6T5 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
NSBC123JDXV6T5, NSBC123JDXV6T5 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 81,55 KB)
  
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NSBC123JDXV6T5 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74A, SOT-753 Pacchetto dispositivo fornitore SMV |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA, 1A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V, 20V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 2.2kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA, 100nA Frequenza - Transizione 185MHz Potenza - Max 600mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA, 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V, 40V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 2.2kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione 300MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-666 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore SM6 |
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