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NSBA124EF3T5G

NSBA124EF3T5G

Solo per riferimento

Numero parte NSBA124EF3T5G
PNEDA Part # NSBA124EF3T5G
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 5.850
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NSBA124EF3T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSBA124EF3T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
NSBA124EF3T5G, NSBA124EF3T5G Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 177,1 KB)
PDFDTA124EET1G Datasheet Copertura
DTA124EET1G Datasheet Pagina 2 DTA124EET1G Datasheet Pagina 3 DTA124EET1G Datasheet Pagina 4 DTA124EET1G Datasheet Pagina 5 DTA124EET1G Datasheet Pagina 6 DTA124EET1G Datasheet Pagina 7 DTA124EET1G Datasheet Pagina 8 DTA124EET1G Datasheet Pagina 9 DTA124EET1G Datasheet Pagina 10 DTA124EET1G Datasheet Pagina 11

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NSBA124EF3T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)22 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max254mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1123
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-1123

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSLP-3-4

UNR511D00L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini3-G1

DRA2522J0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

270 Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

5 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G3-B

DTC115TUAT106

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT3

MUN5230T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

202mW

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