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NP90N055VUK-E1-AY

NP90N055VUK-E1-AY

Solo per riferimento

Numero parte NP90N055VUK-E1-AY
PNEDA Part # NP90N055VUK-E1-AY
Descrizione MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.934
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Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NP90N055VUK-E1-AY Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNP90N055VUK-E1-AY
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NP90N055VUK-E1-AY, NP90N055VUK-E1-AY Datasheet (Totale pagine: 1, Dimensioni: 57,62 KB)
PDFNP90N055VUK-E1-AY Datasheet Copertura

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NP90N055VUK-E1-AY Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.85mOhm @ 45A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs102nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.2W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252-3
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SPP47N10

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

175W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

BFL4001-1EX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

NTMFS4C06NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 69A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1683pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

770mW (Ta), 30.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

STSJ50NH3LL

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

965pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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