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NJVMJB45H11T4G

NJVMJB45H11T4G

Solo per riferimento

Numero parte NJVMJB45H11T4G
PNEDA Part # NJVMJB45H11T4G
Descrizione TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.588
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NJVMJB45H11T4G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNJVMJB45H11T4G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NJVMJB45H11T4G, NJVMJB45H11T4G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 109,74 KB)
PDFMJB45H11 Datasheet Copertura
MJB45H11 Datasheet Pagina 2 MJB45H11 Datasheet Pagina 3 MJB45H11 Datasheet Pagina 4 MJB45H11 Datasheet Pagina 5 MJB45H11 Datasheet Pagina 6

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NJVMJB45H11T4G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 4A, 1V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione40MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MPSL51_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MPSA13_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BD681STU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Potenza - Max

40W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 125mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 10V

Potenza - Max

2.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

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