NHPM120T3G
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| Numero parte | NHPM120T3G |
| PNEDA Part # | NHPM120T3G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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NHPM120T3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NHPM120T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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NHPM120T3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-216AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.41V @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 160ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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