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NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Solo per riferimento

Numero parte NGTD9R120F2SWK
PNEDA Part # NGTD9R120F2SWK
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.870
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NGTD9R120F2SWK Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTD9R120F2SWK
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
NGTD9R120F2SWK, NGTD9R120F2SWK Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 80 KB)
PDFNGTD9R120F2SWK Datasheet Copertura
NGTD9R120F2SWK Datasheet Pagina 2 NGTD9R120F2SWK Datasheet Pagina 3

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NGTD9R120F2SWK Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.6V @ 15A
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-128

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBRH12030

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

JANTXV1N3893

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/304

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 20A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

115pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AA (DO-4)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

MBRF10H50-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

30BQ100TR

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

790mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

115pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

SMC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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