NGTD17T65F2WP
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| Numero parte | NGTD17T65F2WP |
| PNEDA Part # | NGTD17T65F2WP |
| Descrizione | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.722 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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NGTD17T65F2WP Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTD17T65F2WP |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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NGTD17T65F2WP Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 88A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Potenza - Max 500W Switching Energy 1.38mJ (on), 906µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 210nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/163ns Condizione di test 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D3Pak |
