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NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Solo per riferimento

Numero parte NGTD14T65F2WP
PNEDA Part # NGTD14T65F2WP
Descrizione IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.094
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
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NGTD14T65F2WP Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTD14T65F2WP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGTD14T65F2WP, NGTD14T65F2WP Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 87,51 KB)
PDFNGTD14T65F2SWK Datasheet Copertura
NGTD14T65F2SWK Datasheet Pagina 2 NGTD14T65F2SWK Datasheet Pagina 3

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NGTD14T65F2WP Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 35A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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SGB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

27A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 15A

Potenza - Max

138W

Switching Energy

530µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/209ns

Condizione di test

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 42A

Potenza - Max

223W

Switching Energy

120µJ (on), 150µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

76nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/113ns

Condizione di test

200V, 21A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXGA)

FGB3040CS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

21A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4.7µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263-6

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

430A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 20A

Potenza - Max

417W

Switching Energy

23mJ (on), 2.6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

425nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/370ns

Condizione di test

1500V, 20A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

864ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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ISOPLUSi5-Pak™

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 8A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

Die

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