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NGTB15N120IHLWG

NGTB15N120IHLWG

Solo per riferimento

Numero parte NGTB15N120IHLWG
PNEDA Part # NGTB15N120IHLWG
Descrizione IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.616
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NGTB15N120IHLWG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTB15N120IHLWG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGTB15N120IHLWG, NGTB15N120IHLWG Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 167,65 KB)
PDFNGTB15N120IHLWG Datasheet Copertura
NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 2 NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 3 NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 4 NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 5 NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 6 NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 7 NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 8 NGTB15N120IHLWG Datasheet Pagina 9

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NGTB15N120IHLWG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A
Potenza - Max156W
Switching Energy560µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge160nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-/165ns
Condizione di test600V, 15A, 15Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

1.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

57nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/148ns

Condizione di test

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Potenza - Max

1040W

Switching Energy

3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

358nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/418ns

Condizione di test

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 16A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

380µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

33nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/116ns

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

IRG4BC30U-S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

160µJ (on), 200µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/78ns

Condizione di test

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

APT80GA90B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

145A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

239A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

1652µJ (on), 1389µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/149ns

Condizione di test

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Venduto di recente

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

AD9240AS

AD9240AS

Analog Devices

IC ADC 14BIT PIPELINED 44MQFP

IHLP2525AHER1R0M01

IHLP2525AHER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 7A 18.3 MOHM SMD

SMBJ36A

SMBJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

ADUM1100ARZ

ADUM1100ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

2016L100/33DR

2016L100/33DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 2016

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

PESD0402-140

PESD0402-140

Littelfuse

TVS DIODE 14V 40V 0402

UES1302

UES1302

Microsemi

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

HLMP-P205-F0031

HLMP-P205-F0031

Broadcom

LED RED CLEAR Z-BEND SMD

BC847PN-7-F

BC847PN-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363

LFXP2-17E-6FTN256I

LFXP2-17E-6FTN256I

Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 201 I/O 256FTBGA