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NE85633L-A

NE85633L-A

Solo per riferimento

Numero parte NE85633L-A
PNEDA Part # NE85633L-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.030
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85633L-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85633L-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85633L-A, NE85633L-A Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 827,19 KB)
PDFNE85633L-A Datasheet Copertura
NE85633L-A Datasheet Pagina 2 NE85633L-A Datasheet Pagina 3 NE85633L-A Datasheet Pagina 4 NE85633L-A Datasheet Pagina 5 NE85633L-A Datasheet Pagina 6 NE85633L-A Datasheet Pagina 7 NE85633L-A Datasheet Pagina 8 NE85633L-A Datasheet Pagina 9 NE85633L-A Datasheet Pagina 10 NE85633L-A Datasheet Pagina 11

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NE85633L-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Guadagno9dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

14.5dB

Potenza - Max

330W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M177

Pacchetto dispositivo fornitore

M177

PN3563

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

1.9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 5mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

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MS1015D

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

9W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

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