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NE851M33-T3-A

NE851M33-T3-A

Solo per riferimento

Numero parte NE851M33-T3-A
PNEDA Part # NE851M33-T3-A
Descrizione RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.322
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE851M33-T3-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE851M33-T3-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE851M33-T3-A, NE851M33-T3-A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 346,8 KB)
PDFNE851M33-T3-A Datasheet Copertura
NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 2 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 3 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 4 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 5 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 6

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NE851M33-T3-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5.5V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno-
Potenza - Max130mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore3-SuperMiniMold (M33)

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

150W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

211-11, Style 2

Pacchetto dispositivo fornitore

211-11, Style 2

2SC393700L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.7dB @ 800MHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini3-G1

PN5179_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MT3S111(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

11.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

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Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.6V

Frequenza - Transizione

75GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB @ 450MHz

Guadagno

27dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

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