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NE68139R-T1

NE68139R-T1

Solo per riferimento

Numero parte NE68139R-T1
PNEDA Part # NE68139R-T1
Descrizione RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68139R-T1 Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68139R-T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68139R-T1, NE68139R-T1 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 218,97 KB)
PDFNE68133-T1B-A Datasheet Copertura
NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 2 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 3 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 4 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 5 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 6 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 7 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 8 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 9 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 10 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 11

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NE68139R-T1 Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
Guadagno13.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 7mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-143R
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143R

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

11V

Frequenza - Transizione

3.2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

310mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

2N918

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60kHz

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

BFP620E7764BTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

185mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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