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NE663M04-T2-A

NE663M04-T2-A

Solo per riferimento

Numero parte NE663M04-T2-A
PNEDA Part # NE663M04-T2-A
Descrizione RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.760
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE663M04-T2-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE663M04-T2-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE663M04-T2-A, NE663M04-T2-A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 1.417,29 KB)
PDF2SC5509-A Datasheet Copertura
2SC5509-A Datasheet Pagina 2 2SC5509-A Datasheet Pagina 3 2SC5509-A Datasheet Pagina 4 2SC5509-A Datasheet Pagina 5 2SC5509-A Datasheet Pagina 6 2SC5509-A Datasheet Pagina 7 2SC5509-A Datasheet Pagina 8 2SC5509-A Datasheet Pagina 9 2SC5509-A Datasheet Pagina 10

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NE663M04-T2-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.3V
Frequenza - Transizione15GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
Guadagno14dB
Potenza - Max190mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343F

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

90025HS

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT-30533-TR2G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

BFP420H6740XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

MS1001

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

270W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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