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ND410835

ND410835

Solo per riferimento

Numero parte ND410835
PNEDA Part # ND410835
Descrizione DIODE MODULE DUAL
Produttore Powerex Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ND410835 Risorse

Brand Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteND410835
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
ND410835, ND410835 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 129,8 KB)
PDFND411435 Datasheet Copertura
ND411435 Datasheet Pagina 2 ND411435 Datasheet Pagina 3 ND411435 Datasheet Pagina 4

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ND410835 Specifiche

ProduttorePowerex Inc.
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Series Connection
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)350A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1000A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)10µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr30mA @ 800V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaPOW-R-BLOK™ Module
Pacchetto dispositivo fornitorePOW-R-BLOK™ Module

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

S8-4150/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

4 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

400mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

HN1D02FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Configurazione diodi

2 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 80V

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

MBR10100CT-BP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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GSXF120A020S1-D3

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Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Tipo di montaggio

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