NAND512W3A2SNXE
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| Numero parte | NAND512W3A2SNXE |
| PNEDA Part # | NAND512W3A2SNXE |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.078 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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NAND512W3A2SNXE Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NAND512W3A2SNXE |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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NAND512W3A2SNXE Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 50ns |
| Tempo di accesso | 50ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
