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MX29LV400CBXEC-90G

MX29LV400CBXEC-90G

Solo per riferimento

Numero parte MX29LV400CBXEC-90G
PNEDA Part # MX29LV400CBXEC-90G
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 48LFBGA
Produttore Macronix
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Disponibile 3.546
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MX29LV400CBXEC-90G Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX29LV400CBXEC-90G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX29LV400CBXEC-90G, MX29LV400CBXEC-90G Datasheet (Totale pagine: 76, Dimensioni: 3.333,48 KB)
PDFMX29LV800CTMI-55Q Datasheet Copertura
MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 2 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 3 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 4 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 5 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 6 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 7 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 8 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 9 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 10 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 11

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MX29LV400CBXEC-90G Specifiche

ProduttoreMacronix
SerieMX29LV
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina90ns
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-LFBGA, CSP (6x8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F256G08EECBBJ4-6:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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GD25LQ20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 2.4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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