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MX29GL128EDXFI-11G

MX29GL128EDXFI-11G

Solo per riferimento

Numero parte MX29GL128EDXFI-11G
PNEDA Part # MX29GL128EDXFI-11G
Descrizione IC FLASH 128MBIT
Produttore Macronix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.068
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MX29GL128EDXFI-11G Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX29GL128EDXFI-11G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX29GL128EDXFI-11G, MX29GL128EDXFI-11G Datasheet (Totale pagine: 72, Dimensioni: 1.199,32 KB)
PDFMX29GL128EUT2I-11G Datasheet Copertura
MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 2 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 3 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 4 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 5 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 6 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 7 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 8 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 9 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 10 MX29GL128EUT2I-11G Datasheet Pagina 11

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  • MX29GL128EDXFI-11G Distributor

MX29GL128EDXFI-11G Specifiche

ProduttoreMacronix
Serie*
Tipo di memoria-
Formato memoria-
Tecnologia-
Dimensione della memoria-
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

IS61LV12816L-10LQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

44-LQFP (10x10)

MX29F400CBTC-90G

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

MX29F

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

MT53B128M32D1Z00NWC2

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

580536-004-00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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