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MVDF1N05ER2G

MVDF1N05ER2G

Solo per riferimento

Numero parte MVDF1N05ER2G
PNEDA Part # MVDF1N05ER2G
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.024
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MVDF1N05ER2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMVDF1N05ER2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MVDF1N05ER2G, MVDF1N05ER2G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 110,17 KB)
PDFMMDF1N05ER2G Datasheet Copertura
MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 2 MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 3 MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 4 MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 5

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MVDF1N05ER2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

10-Picostar (3.37x1.47)

FW217A-TL-2W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FDMC8030

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1975pF @ 20V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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