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MURTA20020R

MURTA20020R

Solo per riferimento

Numero parte MURTA20020R
PNEDA Part # MURTA20020R
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.560
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MURTA20020R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMURTA20020R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MURTA20020R, MURTA20020R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 787,77 KB)
PDFMURTA20040R Datasheet Copertura
MURTA20040R Datasheet Pagina 2 MURTA20040R Datasheet Pagina 3

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MURTA20020R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 100A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Configurazione diodi

3 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

1ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

MINI6-G1

SDM10M45SD-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

2 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 10V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

110A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 110A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

PRM4

Pacchetto dispositivo fornitore

PRM4 (Isolated)

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Produttore

Power Integrations

Serie

Qspeed™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

13ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 300V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

720mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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