MURT20005
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| Numero parte | MURT20005 |
| PNEDA Part # | MURT20005 |
| Descrizione | DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.574 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 30 - ott 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURT20005 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURT20005 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MURT20005 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 880mV @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Series Connection Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 30mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 370mV @ 1mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 10V Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore UMD3 |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 120A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 650mV @ 120A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 3mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
Produttore Littelfuse Inc. Serie - Configurazione diodi 1 Pair Series Connection Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 110A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 350A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 1800V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia A-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore A3 |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
