MURT10040R
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| Numero parte | MURT10040R |
| PNEDA Part # | MURT10040R |
| Descrizione | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.568 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURT10040R Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURT10040R |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MURT10040R Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | - |
| Tipo di diodo | Standard, Reverse Polarity |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 50A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 90ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB |
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