MURS260T3
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| Numero parte | MURS260T3 |
| PNEDA Part # | MURS260T3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 2A SMB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.940 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURS260T3 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURS260T3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MURS260T3 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, B Pacchetto dispositivo fornitore D-5B Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1230A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.063V @ 800A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AA, A-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 180°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 10ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 80µA @ 25V Capacità @ Vr, F 52pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-CPH Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 120ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie TrenchSBR Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 540mV @ 15A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerDI™ 5 Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI™ 5 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
