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MURA120T3H

MURA120T3H

Solo per riferimento

Numero parte MURA120T3H
PNEDA Part # MURA120T3H
Descrizione DIODE GEN PURPOSE
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MURA120T3H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMURA120T3H
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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MURA120T3H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If875mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreSMA
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

11A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

181pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SCS308AHGC9

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

400pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220ACP

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

NSF8MTHE3_A/P

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Insulated, TO-220AC

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

ES2JHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BAS 40 B5003

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

100ps

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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