MUR4L60 B0G
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| Numero parte | MUR4L60 B0G |
| PNEDA Part # | MUR4L60-B0G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.232 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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MUR4L60 B0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MUR4L60 B0G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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MUR4L60 B0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.28V @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AD, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-128 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Littelfuse Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 15.9A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 15.9A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Isolated Tab Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 48µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 125pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 20mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
