MT53B512M32D2GZ-062 WT:B
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| Numero parte | MT53B512M32D2GZ-062 WT:B |
| PNEDA Part # | MT53B512M32D2GZ-062-WT-B |
| Descrizione | IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.824 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT53B512M32D2GZ-062 WT:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT53B512M32D2GZ-062 WT:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT53B512M32D2GZ-062 WT:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 16Gb (512M x 32) |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | 1600MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.1V |
| Temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 200-WFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 200-WFBGA (11x14.5) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 120ns Tempo di accesso 120ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 32-PLCC (11.43x13.97) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.6ns Tensione - Alimentazione 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 208-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 208-CABGA (15x15) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II+ Dimensione della memoria 36Mb (1M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
