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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

Solo per riferimento

Numero parte MT48H32M16LFB4-6 AAT:C
PNEDA Part # MT48H32M16LFB4-6-AAT-C
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.292
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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48H32M16LFB4-6 AAT:C
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C, MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 3.325,24 KB)
PDFMT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Copertura
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 2 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 3 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 4 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 5 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 6 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 7 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 8 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 9 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 10 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 11

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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (8x8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

CG8152AA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C09159AV-9AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

72Kb (8K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

67MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

9ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

M29W400FT55N3E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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