MT47H64M8CB-5E IT:B
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| Numero parte | MT47H64M8CB-5E IT:B |
| PNEDA Part # | MT47H64M8CB-5E-IT-B |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT47H64M8CB-5E IT:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT47H64M8CB-5E IT:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT47H64M8CB-5E IT:B, MT47H64M8CB-5E IT:B Datasheet
(Totale pagine: 139, Dimensioni: 9.398,13 KB)
  
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MT47H64M8CB-5E IT:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 600ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-FBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 64Kb (4K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
