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MT47H128M8HQ-3:G TR

MT47H128M8HQ-3:G TR

Solo per riferimento

Numero parte MT47H128M8HQ-3:G TR
PNEDA Part # MT47H128M8HQ-3-G-TR
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.514
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT47H128M8HQ-3:G TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47H128M8HQ-3:G TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47H128M8HQ-3:G TR, MT47H128M8HQ-3:G TR Datasheet (Totale pagine: 134, Dimensioni: 9.292,75 KB)
PDFMT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Copertura
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 2 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 3 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 4 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 5 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 6 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 7 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 8 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 9 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 10 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 11

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MT47H128M8HQ-3:G TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-FBGA (8x11.5)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

6Gb (192M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BR95160-WMN6TP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

5MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.43x13.97)

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