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MT46V32M16TG-5B:J TR

MT46V32M16TG-5B:J TR

Solo per riferimento

Numero parte MT46V32M16TG-5B:J TR
PNEDA Part # MT46V32M16TG-5B-J-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.958
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT46V32M16TG-5B:J TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT46V32M16TG-5B:J TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT46V32M16TG-5B:J TR, MT46V32M16TG-5B:J TR Datasheet (Totale pagine: 94, Dimensioni: 1.658,45 KB)
PDFMT46V64M8CV-5B:J Datasheet Copertura
MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 2 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 3 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 4 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 5 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 6 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 7 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 8 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 9 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 10 MT46V64M8CV-5B:J Datasheet Pagina 11

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MT46V32M16TG-5B:J TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore66-TSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S26KL128SDABHN030

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

HyperFlash™ KL

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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