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MT46H32M16LFBF-6 AT:B

MT46H32M16LFBF-6 AT:B

Solo per riferimento

Numero parte MT46H32M16LFBF-6 AT:B
PNEDA Part # MT46H32M16LFBF-6-AT-B
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.640
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MT46H32M16LFBF-6 AT:B Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT46H32M16LFBF-6 AT:B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT46H32M16LFBF-6 AT:B, MT46H32M16LFBF-6 AT:B Datasheet (Totale pagine: 98, Dimensioni: 3.258,44 KB)
PDFMT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Copertura
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 2 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 3 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 4 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 5 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 6 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 7 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 8 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 9 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 10 MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Datasheet Pagina 11

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MT46H32M16LFBF-6 AT:B Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5.0ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-VFBGA (8x9)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-WBGA (9x13)

CAT25010VP2I-GT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (2x3)

IDT71V416VS12PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

USBF129-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

30MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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