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MT45W2MW16BGB-708 AT

MT45W2MW16BGB-708 AT

Solo per riferimento

Numero parte MT45W2MW16BGB-708 AT
PNEDA Part # MT45W2MW16BGB-708-AT
Descrizione IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT45W2MW16BGB-708 AT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT45W2MW16BGB-708 AT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT45W2MW16BGB-708 AT, MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet (Totale pagine: 61, Dimensioni: 1.932,33 KB)
PDFMT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Copertura
MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 2 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 3 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 4 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 5 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 6 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 7 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 8 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 9 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 10 MT45W2MW16BGB-708 AT Datasheet Pagina 11

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MT45W2MW16BGB-708 AT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

75ns

Tempo di accesso

75ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

M29W128FL70ZA6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TBGA (10x13)

MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

6116LA25SOG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SOIC

MT61K256M32JE-14:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR6

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.75GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.31V ~ 1.39V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Sub-Base Mount

Pacchetto / Custodia

180-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

180-FBGA (12x14)

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