MT41K512M8V00HWC1-N002
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| Numero parte | MT41K512M8V00HWC1-N002 |
| PNEDA Part # | MT41K512M8V00HWC1-N002 |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.992 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT41K512M8V00HWC1-N002 Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT41K512M8V00HWC1-N002 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT41K512M8V00HWC1-N002 Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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