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MT41K1G4THV-15E:M

MT41K1G4THV-15E:M

Solo per riferimento

Numero parte MT41K1G4THV-15E:M
PNEDA Part # MT41K1G4THV-15E-M
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT41K1G4THV-15E:M Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT41K1G4THV-15E:M
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT41K1G4THV-15E:M, MT41K1G4THV-15E:M Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 328,14 KB)
PDFMT41K512M8THD-15E:D Datasheet Copertura
MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 2 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 3 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 4 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 5 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 6 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 7 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 8 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 9 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 10 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 11

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MT41K1G4THV-15E:M Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria4Gb (1G x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso13.5ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (8x11.5)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS46DR81280B-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TWBGA (8x10.5)

DS2432P-W05+1T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S26KS256SDGBHM030

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

AT49BV001NT-12JC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

Venduto di recente

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