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MT40A2G8VA-062E:B

MT40A2G8VA-062E:B

Solo per riferimento

Numero parte MT40A2G8VA-062E:B
PNEDA Part # MT40A2G8VA-062E-B
Descrizione IC DDR4 SDRAM 16GB 78FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT40A2G8VA-062E:B Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT40A2G8VA-062E:B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT40A2G8VA-062E:B, MT40A2G8VA-062E:B Datasheet (Totale pagine: 379, Dimensioni: 10.985,65 KB)
PDFMT40A2G8VA-062E:B Datasheet Copertura
MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 2 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 3 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 4 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 5 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 6 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 7 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 8 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 9 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 10 MT40A2G8VA-062E:B Datasheet Pagina 11

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MT40A2G8VA-062E:B Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR4
Dimensione della memoria16Gb (4G x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1.6GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso19ns
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (10x11)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

IS62WV25616EALL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

STK15C88-SF25ITR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

IS61LPD102418A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Quad Port, Synchronous

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200ns

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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