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MT40A1G4HX-083E:A

MT40A1G4HX-083E:A

Solo per riferimento

Numero parte MT40A1G4HX-083E:A
PNEDA Part # MT40A1G4HX-083E-A
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.238
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT40A1G4HX-083E:A Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT40A1G4HX-083E:A
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT40A1G4HX-083E:A, MT40A1G4HX-083E:A Datasheet (Totale pagine: 383, Dimensioni: 11.237,05 KB)
PDFMT40A512M8SA-062E:F Datasheet Copertura
MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 2 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 3 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 4 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 5 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 6 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 7 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 8 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 9 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 10 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 11

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MT40A1G4HX-083E:A Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR4
Dimensione della memoria4Gb (1G x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1.2GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (9x11.5)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

MT29F2G01ABBGDM79A3WC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CAT28C16AW-20T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

24-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

288Mb (8M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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