MT3S111TU,LF
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| Numero parte | MT3S111TU,LF |
| PNEDA Part # | MT3S111TU-LF |
| Descrizione | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.734 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT3S111TU Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT3S111TU,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MT3S111TU Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 6V |
| Frequenza - Transizione | 10GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Guadagno | 12.5dB |
| Potenza - Max | 800mW |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UFM |
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