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MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

Solo per riferimento

Numero parte MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR
PNEDA Part # MT38M4041A3034EZZI-XK6-TR
Descrizione IC FLASH RAM 256M PARAL 56VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT38M4041A3034EZZI.XK6 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR, MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR Datasheet (Totale pagine: 128, Dimensioni: 1.572,55 KB)
PDFMT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Copertura
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 2 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 3 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 4 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 5 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 6 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 7 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 8 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 9 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 10 MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Datasheet Pagina 11

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MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH, PSRAM
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16), 128M (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia56-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore56-VFBGA

I prodotti a cui potresti essere interessato

CY62187EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8x9.5)

24LC04BHT-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 8 x 2)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

FM24V05-GTR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

3.4MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

130ns

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MTA9ASF1G72PZ-2G9E1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

72Gb (1G x 72)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1467MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F1G16ABBEAM68M3WC2

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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TAJB107M006RNJ

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