MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Solo per riferimento
Numero parte | MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR |
PNEDA Part # | MT29F64G08CBCGBWP-10ES-G-TR |
Descrizione | IC FLASH 64G PARALLEL 100MHZ |
Produttore | Micron Technology Inc. |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.434 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Risorse
Brand | Micron Technology Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR |
Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Datasheet
- where to find MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR PDF Datasheet
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Stock
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Pinout
- Datasheet MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Price
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Distributor
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Specifiche
Produttore | Micron Technology Inc. |
Serie | - |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 64Gb (8G x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Frequenza di clock | 100MHz |
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
I prodotti a cui potresti essere interessato
IDT, Integrated Device Technology Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) |
Micron Technology Inc. Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 66-TSOP |
Alliance Memory, Inc. Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 66-TSOP II |
Fujitsu Electronics Produttore Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FRAM Tecnologia FRAM (Ferroelectric RAM) Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 33MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Micron Technology Inc. Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |