MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
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| Numero parte | MT29F256G08CBCBBWP-10M:B |
| PNEDA Part # | MT29F256G08CBCBBWP-10M-B |
| Descrizione | MLC 256G 32GX8 TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.452 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | ott 1 - ott 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F256G08CBCBBWP-10M:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F256G08CBCBBWP-10M:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F256G08CBCBBWP-10M:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (MLC) |
| Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 100MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 48-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 48-SIDE BRAZED |
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