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MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR

Solo per riferimento

Numero parte MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
PNEDA Part # MT29F1G08ABAEAH4-AATX-E-TR
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.484
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 16 - mar 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR, MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Datasheet (Totale pagine: 95, Dimensioni: 1.061,98 KB)
PDFMT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Copertura
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 2 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 3 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 4 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 5 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 6 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 7 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 8 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 9 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 10 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 11

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MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore63-VFBGA (9x11)

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

700µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

AT25DF081A-SSH-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

7µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CAT24C208WI-G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

S29WS512PABBFW000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

WS-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (11.6x8)

IS42VM32160E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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