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MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR

Solo per riferimento

Numero parte MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR
PNEDA Part # MT29F128G08AMCABH2-10ITZ-A-TR
Descrizione IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.364
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria128Gb (16G x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore100-TBGA (12x18)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

CY7C1415BV18-167BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

25LC640-I/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

AT25SF041-SSHD-B

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 2.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS61QDPB21M36A-333M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QUADP

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (15x17)

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