MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
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| Numero parte | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
| PNEDA Part # | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES-B-TR |
| Descrizione | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 132-VBGA (12x18) |
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