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MT28F400B5WG-8 TET TR

MT28F400B5WG-8 TET TR

Solo per riferimento

Numero parte MT28F400B5WG-8 TET TR
PNEDA Part # MT28F400B5WG-8-TET-TR
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP I
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.484
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MT28F400B5WG-8 TET TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F400B5WG-8 TET TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F400B5WG-8 TET TR, MT28F400B5WG-8 TET TR Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 523,99 KB)
PDFMT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Copertura
MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 2 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 3 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 4 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 5 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 6 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 7 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 8 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 9 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 10 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 11

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MT28F400B5WG-8 TET TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8, 256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina80ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP I

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-EDIP

PN28F256M29EWHA

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

Macronix

Serie

MXSMIO™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

CAT25128VI-G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CG8267AA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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