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MT28F004B3VG-8 BET

MT28F004B3VG-8 BET

Solo per riferimento

Numero parte MT28F004B3VG-8 BET
PNEDA Part # MT28F004B3VG-8-BET
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.586
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Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28F004B3VG-8 BET Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F004B3VG-8 BET
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F004B3VG-8 BET, MT28F004B3VG-8 BET Datasheet (Totale pagine: 30, Dimensioni: 464,38 KB)
PDFMT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Copertura
MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 2 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 3 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 4 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 5 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 6 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 7 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 8 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 9 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 10 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 11

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MT28F004B3VG-8 BET Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina80ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore40-TSOP I

I prodotti a cui potresti essere interessato

CY7C1061DV18-15ZSXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

M27C512-70C1

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.35x13.89)

IS61LF51218A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

SST25VF010A-33-4I-QAE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON

71V3558SA133BQG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

Venduto di recente

4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP

CM453232-3R3KL

CM453232-3R3KL

Bourns

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

TDK

FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

7447709680

7447709680

Wurth Electronics

FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD

ILHB0805ER601V

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Vishay Dale

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

BLM18AG601SN1D

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FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

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COMMON MODE CHOKE 2LN SMD ESD

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ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

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CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

PHV-5R4V155-R

PHV-5R4V155-R

Eaton - Electronics Division

CAP 1.5F -10% +30% 5.4V T/H

C0805C334J4RACTU

C0805C334J4RACTU

KEMET

CAP CER 0.33UF 16V X7R 0805

749196321

749196321

Wurth Electronics

TRANSFORMER 14.2UH .97A SMD