MSRTA600120(A)
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| Numero parte | MSRTA600120(A) |
| PNEDA Part # | MSRTA600120-A |
| Descrizione | DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSRTA600120(A) Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSRTA600120(A) |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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MSRTA600120(A) Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 600A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 600A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-SMD Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
Produttore Diodes Incorporated Serie SBR® Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 980mV @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 720mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 550µA @ 60V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
