MSE1PD-M3/89A
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| Numero parte | MSE1PD-M3/89A |
| PNEDA Part # | MSE1PD-M3-89A |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 147.780 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSE1PD-M3/89A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSE1PD-M3/89A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MSE1PD-M3/89A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | MicroSMP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 135V Corrente - Media Rettificata (Io) 240A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.07V @ 240A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 6mA @ 135V Capacità @ Vr, F 6000pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore MELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore SMB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1400V Corrente - Media Rettificata (Io) 620A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.25V @ 1400A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 5.3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 1400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AB, B-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R-3, Axial Pacchetto dispositivo fornitore R-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
