MSDM50-12
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| Numero parte | MSDM50-12 |
| PNEDA Part # | MSDM50-12 |
| Descrizione | BRIDGE RECT 3P 1.2KV 50A M2-1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSDM50-12 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSDM50-12 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
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MSDM50-12 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Three Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 1.2kV |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 50A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 150A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | M2-1 |
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Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 12.5A Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, GBJ Pacchetto dispositivo fornitore GBJ |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 1kV Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1.5A Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 1000V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore ABS-L |
