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MSCD200-12

MSCD200-12

Solo per riferimento

Numero parte MSCD200-12
PNEDA Part # MSCD200-12
Descrizione DIODE MODULE 1.2KV 200A SD2
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.708
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MSCD200-12 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMSCD200-12
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MSCD200-12, MSCD200-12 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 208,96 KB)
PDFMSKD200-18 Datasheet Copertura
MSKD200-18 Datasheet Pagina 2 MSKD200-18 Datasheet Pagina 3

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MSCD200-12 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Series Connection
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 300A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr9mA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaD2
Pacchetto dispositivo fornitoreSD2

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

700µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBR300200CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

APT2X20DC60J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 20A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

MA3S132DGL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

10ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 75V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F3

MBR30150CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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