MSC025SMA120B
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| Numero parte | MSC025SMA120B |
| PNEDA Part # | MSC025SMA120B |
| Descrizione | GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO- |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.778 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSC025SMA120B Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSC025SMA120B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
MSC025SMA120B, MSC025SMA120B Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 3.798,21 KB)
  
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MSC025SMA120B Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1.2kV |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 103A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +25V, -10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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